[发明专利]一种MEMS电容薄膜真空计微电容检测装置及标定方法在审
| 申请号： | 202211670306.9 | 申请日： | 2022-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN115790963A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 高青松;郭朝帽;李得天;马动涛;陶院;李进利 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00;G01R27/26;G01R35/00 |
| 代理公司： | 北京元理果知识产权代理事务所(普通合伙) 11938 | 代理人： | 饶小平 |
| 地址： | 730010 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本申请涉及微电容检测技术领域，具体而言，涉及一种MEMS电容薄膜真空计微电容检测装置及标定方法，装置包括微电容检测模块、热控模块、数据处理模块、触摸屏模块以及通讯模块，其中：微电容检测模块与感压薄膜传感器一体化集成，用于检测感压薄膜传感器输出的微电容信号，并与数据处理模块连接；热控模块设置在感压薄膜传感器壳体的内部，用于控制感压薄膜传感器内部的温度，并与数据处理模块连接；数据处理模块、触摸屏模块以及通讯模块均设置在数据采集单元内部，触摸屏模块和通讯模块均与数据处理模块连接。本申请将微电容测量数据经过处理与运算，输出真空度测量值，在温度漂移误差补偿与校准下，可获得高测量分辨率和高准确度的真空度测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 电容 薄膜 真空计 检测 装置 标定 方法 | ||
【主权项】：
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