[发明专利]实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法在审

专利信息
申请号: 202211641268.4 申请日: 2022-12-20
公开(公告)号: CN115954269A 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 郭美玲;许振涛;赵鹏康;杨振朝;杨明顺;李言 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法,具体包括如下步骤:步骤1,测定氧等离子体基片周围磁镜处的悬浮电位Vf;步骤2,对碳膜进行氧等离子体刻蚀加工;步骤3,根据步骤1测定的悬浮电位Vf进行氧等离子体刻蚀过程中离子轰击和电子轰击的切换。本发明通过调控参数可实现氧等离子体刻蚀过程中将正离子引出或将电子引出轰击碳膜表面对其进行表层改性,解决了现有氧等离子体刻蚀仅能将正离子引出的问题,扩充了氧等离子体加工对碳膜结构和性能的调控作用,丰富了氧等离子体加工方法的使用范围和应用场合。
搜索关键词: 实现 离子 轰击 电子 辅助 转换 等离子体 刻蚀 方法
【主权项】:
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