[发明专利]一种DLC薄膜摩擦诱导石墨化相变抑制方法在审
| 申请号： | 202211639418.8 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN116162981A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 杨绿;孙海博;吴怀超;童国顺;姚旭凯;赵丽梅 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C25D9/10 | 分类号： | C25D9/10;C10M125/00;C10M169/04;C10M177/00;C10N30/06 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 任苇 |
| 地址： | 55002*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DLC薄膜摩擦诱导石墨化相变抑制方法，涉及机械设计摩擦与润滑技术领域，其技术方案要点是：首先将钯纳米颗粒加入烷烃基础油中并超声分散得到含钯纳米颗粒作为DLC薄膜摩擦诱导石墨化抑制添加剂；之后将该润滑剂用于DLC薄膜与轴承钢的摩擦磨损实验。本发明以钯纳米颗粒作为摩擦化学催化剂，利用复杂的摩擦环境来驱动钯纳米颗粒催化剂对烷烃基础油的催化脱氢作用，原位形成无定形碳基摩擦膜，实现抑制DLC薄膜因摩擦而引起的石墨化相变，从而减少DLC薄膜因石墨化而引起的摩擦学性能退化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dlc 薄膜 摩擦 诱导 石墨 相变 抑制 方法 | ||
【主权项】：
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- 2014-06-27 - 2014-09-17 - C25D9/10
- TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极的制备方法，涉及半导体光阳极。提供具有高效光生阴极保护效应的TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极的制备方法。1)以不锈钢作为基体试样，基体试样表面打磨成镜面，然后清洗；2)将SnCl2·2H2O溶解在水中，再加入NaNO3和硝酸，配制成电解质溶液，然后加水定容至1000mL，以铂作为对电极，饱和甘汞作为参比电极，基体试样作为工作电极，在电解质溶液中，电沉积后烘干，即在基体试样表面电沉积一层SnO2膜层；3)在步骤2)得到的SnO2膜层表面溅射TiO2膜，再热处理，即得TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极。提高了TiO2纳米薄膜在暗态下对金属的光生阴极保护效应。
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