[发明专利]用于等离子蚀刻设备的碳化硅环及碳化硅环的成型工艺

摘要

本发明公开一种用于等离子蚀刻设备的碳化硅环及碳化硅环的成型工艺。成型工艺包括步骤：S1：将衬底安装于化学气相沉积设备的反应室内；炉体上的加热装置环绕衬底，衬底为具有凹槽的环状体，凹槽自环状体的外环面向内环面延伸；S2：对反应室抽真空；S3：运行加热装置，将反应室加热至预设温度；S4：向反应室通入反应气体，包括载气、稀释气体以及含有碳元素和硅元素的前驱体；反应气体在预设温度下分解沉积在衬底表面，形成碳化硅层；S5：关闭加热装置，降温后取出沉积有碳化硅层的衬底；S6：剥离衬底得到碳化硅环。本公开改善了衬底表面沉积碳化硅薄膜在径向上的厚度以及组织性能均匀性。