[发明专利]半导体器件的制备方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 202211615315.8 | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN115831720A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吴杰 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括对基板的第二表面进行预处理，使第二表面呈中性或酸性。通过对基板靠近光刻胶层的第二表面进行预处理，使基板析出的氮元素形成的氨水或氨气发生中和反应，从而使第二表面呈中性或酸性。由于第二表面呈中性或酸性，从而不会中和掉后续光刻胶层在被曝光的区域产生的氢离子，进而在显影后显影液会与氢离子反应，去除位于被曝光区域的光刻胶膜层，从而使光刻胶膜层呈现特定的图案，而不会在基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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