[发明专利]半导体器件的制备方法以及半导体器件

说明书

本申请公开一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括对基板的第二表面进行预处理，使第二表面呈中性或酸性。通过对基板靠近光刻胶层的第二表面进行预处理，使基板析出的氮元素形成的氨水或氨气发生中和反应，从而使第二表面呈中性或酸性。由于第二表面呈中性或酸性，从而不会中和掉后续光刻胶层在被曝光的区域产生的氢离子，进而在显影后显影液会与氢离子反应，去除位于被曝光区域的光刻胶膜层，从而使光刻胶膜层呈现特定的图案，而不会在基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件的制备方法以及半导体器件。

背景技术

目前，在制作半导体器件时，通常采用曝光显影的制作工艺来形成一些特定的图案。具体地，对于光刻胶膜层来说，在被曝光的区域，光子会被光致产酸剂吸收，光致产酸剂分解释放氢离子，而使被曝光区域的光刻胶膜层呈酸性；而显影液呈碱性，在显影后显影液会与氢离子反应，去除位于被曝光区域的光刻胶膜层，从而使光刻胶膜层呈现特定的图案。

其中，随着半导体器件的发展，一些含氮元素的基板被广泛的用于半导体器件中集成电路的制造工艺中，由于氮元素相对活泼，会容易从基板析出，生成少量的氨水或氨气，而氨水或氨气呈碱性，会与被曝光区域的光刻胶膜层的氢离子发生反应，从而使被曝光区域的部分光刻胶膜层中不存在能与显影液发生反应的氢离子，进而导致被曝光区域的部分光刻胶膜层不能被显影液去除，在基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣，而无法形成特定的光刻胶膜层图案。

因此，如何避免基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣是目前亟待解决的问题。

发明内容

鉴于此，本申请提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，以解决现有的基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣的问题。

本申请提供的一种半导体器件的制备方法，包括：

提供一基板，所述基板包括相对设置的第一表面以及第二表面；

对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性；

在所述第二表面上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影处理，以形成光刻胶图案。

其中，在一种实施方式中，所述对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性的步骤包括：

将预处理溶液涂敷在所述第二表面上；

通过所述预处理溶液对所述第二表面进行酸洗，以使所述第二表面呈中性或酸性。

其中，在一种实施方式中，所述预处理溶液的PH值为4-6。

其中，在一种实施方式中，所述预处理溶液包括盐酸溶液、硫酸溶液以及碳酸溶液中的一种或多种的组合。

其中，在一种实施方式中，所述对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性的步骤包括：

将预处理气体吹送至所述第二表面；

通过所述处理气体对所述第二表面进行酸洗，以使所述第二表面呈中性或酸性。

其中，在一种实施方式中，所述预处理气体包括二氧化碳、二氧化硫以及硫化氢中的一种或多种的组合。

其中，在一种实施方式中，所述提供一基板，所述基板包括相对设置的第一面以及第二面的步骤包括：

提供一第一衬底，所述第一衬底包括相对设置的第一表面以及第三表面；

在所述第三表面上形成第二衬底，所述第二衬底包括相对设置的第二表面和第四表面，所述第二表面为所述第二衬底远离所述第一衬底的一面。

其中，在一种实施方式中，所述在所述第二表面上形成光刻胶层的步骤包括：