[发明专利]一种半导体器件的加工装置及加工方法在审
| 申请号: | 202211600367.8 | 申请日: | 2022-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN116024552A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
| 发明(设计)人: | 潘良;李培培 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐迪 |
| 地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了一种半导体器件的加工装置及方法。该半导体器件的加工装置包括晶圆托盘、顶针、顶针托板、阴影环及边缘环,其中,晶圆托盘的承载面上设有顶针过孔,顶针位于晶圆托盘的下方,其上端经由顶针过孔向晶圆托盘的上方延伸,顶针托板位于晶圆托盘下方,用于支撑顶针的下端,以控制顶针在顶针过孔中上下位移,阴影环位于晶圆托盘的上方,边缘环位于晶圆托盘及阴影环之间,顶针托板的边缘位置设有多个撑杆过孔,阴影环连接多根支撑杆的上端,支撑杆的下端设有限位结构和第一重锤,其中,支撑杆的下端穿过撑杆过孔,限位结构位于撑杆过孔的上方,第一重锤位于撑杆过孔的下方,顶针托板支撑限位结构,以控制支撑杆在撑杆过孔中上下位移。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 半导体器件 加工 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓荆科技股份有限公司,未经拓荆科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211600367.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种再生橡胶保温砂浆及其制备工艺和应用
- 下一篇:一体式水环路多功能热平衡器
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





