[发明专利]一种半导体器件的加工装置及加工方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件的加工装置及方法。该半导体器件的加工装置包括晶圆托盘、顶针、顶针托板、阴影环及边缘环，其中，晶圆托盘的承载面上设有顶针过孔，顶针位于晶圆托盘的下方，其上端经由顶针过孔向晶圆托盘的上方延伸，顶针托板位于晶圆托盘下方，用于支撑顶针的下端，以控制顶针在顶针过孔中上下位移，阴影环位于晶圆托盘的上方，边缘环位于晶圆托盘及阴影环之间，顶针托板的边缘位置设有多个撑杆过孔，阴影环连接多根支撑杆的上端，支撑杆的下端设有限位结构和第一重锤，其中，支撑杆的下端穿过撑杆过孔，限位结构位于撑杆过孔的上方，第一重锤位于撑杆过孔的下方，顶针托板支撑限位结构，以控制支撑杆在撑杆过孔中上下位移。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件的加工装置以及一种半导体器件的加工方法。

背景技术

半导体领域中，等离子体增强化学气相沉积机台(PECVD)运行特殊工艺时，阴影环至关重要。本领域目前的现有技术由于阴影环与边缘环的接触方式、阴影环升降过程中产生的位移以及阴影环安装偏差的原因，会导致实际气相沉积过程中晶圆遮边的稳定性较差。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种半导体器件的加工装置，用于通过支撑杆上端与阴影环的固定，有效避免阴影环安装位置不当及升降移位等问题，并且可以减少气相沉积工艺步骤，从而提升整体阴影环的使用稳定性以及沉积的高效性。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种半导体器件的加工装置以及一种半导体器件的加工方法，能够通过支撑杆上端与阴影环的固定，有效避免阴影环安装位置不当及升降移位等问题，并且可以减少气相沉积工艺步骤，从而提升整体阴影环的使用稳定性以及加工的高效性，从而提升整体阴影环的使用稳定性以及沉积的高效性。

具体来说，根据本发明的第一方面提供的上述半导体器件的加工装置包括晶圆托盘、顶针、顶针托板、阴影环及边缘环，其中，所述晶圆托盘的承载面上设有顶针过孔，所述顶针位于所述晶圆托盘的下方，其上端经由所述顶针过孔向所述晶圆托盘的上方延伸，所述顶针托板位于所述晶圆托盘下方，用于支撑所述顶针的下端，以控制所述顶针在所述顶针过孔中上下位移，所述阴影环位于所述晶圆托盘的上方，所述边缘环位于所述晶圆托盘及所述阴影环之间，所述顶针托板的边缘位置设有多个撑杆过孔，所述阴影环连接多根支撑杆的上端，所述支撑杆的下端设有限位结构和第一重锤，其中，所述支撑杆的下端穿过所述撑杆过孔，所述限位结构位于所述撑杆过孔的上方，所述第一重锤位于所述撑杆过孔的下方，所述顶针托板支撑所述限位结构，以控制所述支撑杆在所述撑杆过孔中上下位移。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述顶针托板上升至传片位置，经由所述顶针的下端抬起所述顶针，并经由所述限位结构抬起所述支撑杆以抬起所述阴影环，在工艺沉积阶段，所述晶圆托盘上升至托盘工艺位置，使所述顶针的上端回收至所述顶针过孔中，经由所述承载面承载待加工的晶圆，并经由所述边缘环支撑所述阴影环，在晶圆出片阶段，所述晶圆托盘下降至托盘释放位置，经由所述顶针托板支撑所述顶针的下端，抬起所述顶针以承载完成加工的晶圆，并经由所述顶针托板支撑所述限位结构，抬起所述支撑杆以抬起所述阴影环。

进一步地，在本发明的一些实施例中，在所述工艺沉积阶段，所述顶针托板下降至托板工艺位置，使所述顶针的上端回收至所述顶针过孔中，经由所述晶圆托盘的承载面承载待加工的晶圆，并经由所述边缘环支撑所述阴影环，所述晶圆托盘上升至所述托盘工艺位置，以带动所述待加工的晶圆及所述阴影环向上移动。