[发明专利]一种半导体器件的加工装置及加工方法

权利要求书

1.一种半导体器件的加工装置，包括晶圆托盘、顶针、顶针托板、阴影环及边缘环，其中，所述晶圆托盘的承载面上设有顶针过孔，所述顶针位于所述晶圆托盘的下方，其上端经由所述顶针过孔向所述晶圆托盘的上方延伸，所述顶针托板位于所述晶圆托盘下方，用于支撑所述顶针的下端，以控制所述顶针在所述顶针过孔中上下位移，所述阴影环位于所述晶圆托盘的上方，所述边缘环位于所述晶圆托盘及所述阴影环之间，其特征在于，

所述顶针托板的边缘位置设有多个撑杆过孔，所述阴影环连接多根支撑杆的上端，所述支撑杆的下端设有限位结构和第一重锤，其中，所述支撑杆的下端穿过所述撑杆过孔，所述限位结构位于所述撑杆过孔的上方，所述第一重锤位于所述撑杆过孔的下方，所述顶针托板支撑所述限位结构，以控制所述支撑杆在所述撑杆过孔中上下位移。

2.如权利要求1所述的加工装置，其特征在于，在晶圆进片阶段，所述顶针托板上升至传片位置，经由所述顶针的下端抬起所述顶针，并经由所述限位结构抬起所述支撑杆以抬起所述阴影环，

在工艺沉积阶段，所述晶圆托盘上升至托盘工艺位置，使所述顶针的上端回收至所述顶针过孔中，经由所述承载面承载待加工的晶圆，并经由所述边缘环支撑所述阴影环，

在晶圆出片阶段，所述晶圆托盘下降至托盘释放位置，经由所述顶针托板支撑所述顶针的下端，抬起所述顶针以承载完成加工的晶圆，并经由所述顶针托板支撑所述限位结构，抬起所述支撑杆以抬起所述阴影环。

3.如权利要求2所述的加工装置，其特征在于，在所述工艺沉积阶段，所述顶针托板下降至托板工艺位置，使所述顶针的上端回收至所述顶针过孔中，经由所述晶圆托盘的承载面承载待加工的晶圆，并经由所述边缘环支撑所述阴影环，所述晶圆托盘上升至所述托盘工艺位置，以带动所述待加工的晶圆及所述阴影环向上移动。

4.如权利要求2或3所述的加工装置，其特征在于，在所述晶圆出片阶段，所述晶圆托盘先下降至托盘停留位置，经由所述顶针托板支撑所述顶针的下端以承载完成沉积的晶圆，并经由所述顶针托板支撑所述限位结构来使其脱离所述晶圆托盘，所述晶圆托盘再下降至所述托盘释放位置且所述顶针托板上升至托板释放位置，经由所述顶针的下端抬起所述顶针，以托起所述完成沉积的晶圆。

5.如权利要求1所述的加工装置，其特征在于，所述边缘环被固定在所述晶圆托盘的边缘，或者

所述边缘环被固定在所述阴影环的下侧，并对准所述晶圆托盘的边缘。

6.如权利要求1所述的加工装置，其特征在于，所述顶针托板采用台阶结构，其中，支撑所述顶针的下端的第一部低于支撑所述限位结构的第二部。

7.如权利要求1所述的加工装置，其特征在于，所述顶针的下端设有第二重锤，所述顶针托板支撑所述第二重锤，以控制所述顶针在所述顶针过孔中上下位移。

8.如权利要求1所述的加工装置，其特征在于，所述加工装置基于等离子体增强化学的气相沉积法来加工所述半导体器件的晶圆，所述晶圆托盘为加热盘。

9.一种半导体器件的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

控制顶针托板上升至传片位置，经由顶针的下端抬起所述顶针，并经由限位结构抬起支撑杆以抬起阴影环，其中，所述顶针托板的边缘位置设有多个撑杆过孔，所述阴影环连接多根所述支撑杆的上端，所述支撑杆的下端设有所述限位结构和第一重锤，所述支撑杆的下端穿过所述撑杆过孔，所述限位结构位于所述撑杆过孔的上方，所述第一重锤位于所述撑杆过孔的下方；

将待加工的晶圆传输到所述顶针上；

控制晶圆托盘上升至托盘工艺位置，使所述顶针的上端回收至顶针过孔中，经由所述晶圆托盘的承载面承载待加工的晶圆，并经由所述边缘环支撑所述阴影环；

加工所述晶圆；

控制所述晶圆托盘下降至托盘释放位置，经由所述顶针托板支撑所述顶针的下端，抬起所述顶针以承载完成加工的晶圆，并经由所述顶针托板支撑所述限位结构，抬起所述支撑杆以抬起所述阴影环；以及

从所述顶针取走所述完成加工的晶圆。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令被处理器执行时，实施如权利要求9所述的半导体器件的加工方法。