[发明专利]半导体结构的失效分析方法在审
| 申请号： | 202211594013.7 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN115586415A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 龚超;吕正良 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/52 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构的失效分析方法。半导体结构的失效分析方法包括：提供半导体结构，半导体结构内具有多个位于同一层的第一互连叠层；各第一互连叠层均包括第一金属层、位于第一金属层底部的第一导电阻挡层以及位于第一金属层顶部的第二导电阻挡层；第二导电阻挡层上以及相邻第一互连叠层之间均具有介质层；去除位于第二导电阻挡层上的介质层以及位于相邻第一互连叠层之间的部分介质层，以暴露出各第一互连叠层中的第一金属层；去除第一金属层及第二导电阻挡层；刻蚀相邻第一互连叠层之间的介质层；判断相邻第一互连叠层之间是否存在第一导电阻挡层，若是，则判定半导体结构失效。采用本方法能够提高失效分析的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
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