[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 202211566742.1 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN116615025A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 朴正敏;林汉镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;谢晨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括：衬底；以及电容器结构，所述电容器结构位于所述衬底上，并且包括下电极、电容器电介质层和上电极。其中，所述电容器电介质层包括：下界面层，所述下界面层位于所述下电极上并且掺杂有第一导电类型的杂质；上界面层，所述上界面层在所述上电极下方，并且掺杂有并非所述第一导电类型的第二导电类型的杂质；以及电介质结构，所述电介质结构位于所述下界面层与所述上界面层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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