[发明专利]一种监测晶圆位置的装置以及最终抛光设备在审
| 申请号： | 202211564251.3 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115863218A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 张辰阳 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 沈寒酉;李斌栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种监测晶圆位置的装置以及最终抛光设备；所述装置包括：具有敞口的存储模块，所述存储模块包括由沿竖向排成两列的条状的支撑件构成的多层等间距布设的支撑件组；其中，每个支撑件组包括处于同一水平面中的两个支撑件，晶圆通过抵接不同列的两个支撑件被支撑；沿所述存储模块径向均匀地布设于所述存储模块外周的至少四组监测模块，所述监测模块用于监测所述存储模块中所述晶圆的位置是否异常；其中，所述监测模块能够发射激光信号并接收相邻监测模块所发射的激光信号，且当存在所述监测模块接收的激光信号不一致时，判定所述晶圆位置异常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 位置 装置 以及 最终 抛光 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
