[发明专利]光电转换元件及其制造方法和摄像装置在审
| 申请号： | 202211561880.0 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN115799286A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 万田周治;奥山敦;松本良辅 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/0216;H10K30/30;H01L31/109 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;姚鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种摄像装置，包括：多个光电转换部；多个彩色滤光器，它们布置在所述多个光电转换部的光入射侧上方，其中各个所述彩色滤光器和所述多个光电转换部中的相应一者构成第一光电转换元件；以及第二光电转换元件。所述第二光电转换元件包括：第一化合物半导体层，其设置于所述多个光电转换部下方；第二化合物半导体层，其设置于所述第一化合物半导体层下方；和光电转换层，其设置于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 摄像 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
