[发明专利]一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质在审
| 申请号： | 202211558142.0 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN115825680A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 武苗苗;施晓骏;张楠 | 申请（专利权）人： | 科世达（上海）机电有限公司;上海科世达-华阳汽车电器有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/52 |
| 代理公司： | 北京信远达知识产权代理有限公司 11304 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 201814 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质，涉及车载蓄电池技术领域，用于检测车载LVDC/DC的短路故障，针对目前对于副边MOSFET短路的诊断无法在开机前实现的问题，提供一种副边MOSFET故障确定方法，针对现有LVDC/DC的副边H桥电路结构按照一定的控制方式通过驱动芯片控制各MOSFET处于不同的开闭状态，并采集此时副边H桥电路的中点电压，比较其是否符合预期，若不符合则说明出现故障。上述方法无需车辆的车载蓄电池充电系统开机，可以填补目前在车载LVDC/DC短路故障检测上的不足，更进一步的保证了新能源车辆的安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 故障 确定 方法 装置 及其 介质 | ||
【主权项】：
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