[发明专利]一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质

权利要求书

1.一种副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，包括：

根据预设的检测模型，发送对应的控制信号至LVDC/DC副边H桥电路的驱动芯片，以便于所述驱动芯片控制对应MOSFET的开通与闭合；

通过电压传感器采集所述副边H桥电路的中点电压；

根据所述中点电压确定所述副边H桥电路是否出现故障。

2.根据权利要求1所述的副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，所述检测模型包括：第一检测模型；

所述第一检测模型为：

所述副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；

所述副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；

所述副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；

所述副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；

对应的，根据所述中点电压确定所述副边H桥电路是否出现故障包括：

若所述中点电压等于蓄电池电压平均值，则所述副边H桥电路中A桥臂或B桥臂的上MOSFET出现短路。

3.根据权利要求2所述的副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，所述检测模型还包括：第二检测模型；

所述第二检测模型为：

所述副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0.4，并延迟0.5个周期；

所述副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0.4；

所述副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；

所述副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；

对应的，根据所述中点电压确定所述副边H桥电路是否出现故障包括：

在根据所述第一检测模型得到的所述中点电压等于0V的基础上，若根据所述第二检测模型得到的所述中点电压等于0V，则有：

所述副边H桥电路中A桥臂的上MOSFET出现断路；

或，所述副边H桥电路中A桥臂的下MOSFET出现断路或短路；

或，所述副边H桥电路中B桥臂的下MOSFET出现短路；

或，所述用于控制所述副边H桥电路A桥臂的上、下MOSFET的所述驱动芯片出现故障。

4.根据权利要求3所述的副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，所述检测模型还包括：第三检测模型；

所述第三检测模型为：

所述副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；

所述副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；

所述副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0.4，并延迟0.5个周期；

所述副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0.4；

对应的，根据所述中点电压确定所述副边H桥电路是否出现故障包括：

在根据所述第一检测模型得到的所述中点电压等于0V、且所述第二检测模型得到的所述中点电压等于所述蓄电池电压平均值的二分之一的基础上，若根据所述第三检测模型得到的所述中点电压等于0V，则有：

所述副边H桥电路中B桥臂的上MOSFET出现断路；

或，所述副边H桥电路中B桥臂的下MOSFET出现断路；

或，所述用于控制所述副边H桥电路B桥臂的上、下MOSFET的所述驱动芯片出现故障。

5.根据权利要求4所述的副边MOSFET故障确定方法，其特征在于，还包括：

在根据所述第一检测模型得到的所述中点电压等于0V、且所述第二检测模型得到的所述中点电压等于所述蓄电池电压平均值的二分之一的基础上，若根据所述第三检测模型得到的所述中点电压等于所述蓄电池电压平均值的二分之一，则确定所述副边H桥电路各器件正常。