[发明专利]一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质在审
| 申请号： | 202211558142.0 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN115825680A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 武苗苗;施晓骏;张楠 | 申请（专利权）人： | 科世达（上海）机电有限公司;上海科世达-华阳汽车电器有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/52 |
| 代理公司： | 北京信远达知识产权代理有限公司 11304 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 201814 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 故障 确定 方法 装置 及其 介质 | ||
本申请公开一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质，涉及车载蓄电池技术领域，用于检测车载LVDC/DC的短路故障，针对目前对于副边MOSFET短路的诊断无法在开机前实现的问题，提供一种副边MOSFET故障确定方法，针对现有LVDC/DC的副边H桥电路结构按照一定的控制方式通过驱动芯片控制各MOSFET处于不同的开闭状态，并采集此时副边H桥电路的中点电压，比较其是否符合预期，若不符合则说明出现故障。上述方法无需车辆的车载蓄电池充电系统开机，可以填补目前在车载LVDC/DC短路故障检测上的不足，更进一步的保证了新能源车辆的安全。
技术领域
本申请涉及车载蓄电池技术领域，特别是涉及一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质。
背景技术
随着新能源车辆产业的飞速发展，新能源车辆的市场保有量正在稳步提高。而车载蓄电池充电系统中的低压(LV)直流/直流(DC/DC)转换器(后简称为LV DC/DC)是新能源汽车的重要组成部分，因而消费者对于LV DC/DC安全性的要求也日益提升，尤其是满足相应功能的安全要求，即避免蓄电池被短接。
金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，MOSFET)作为一种电源开关器件，是组成LV DC/DC的重要部件，由于其随机硬件失效率相对较高，蓄电池出现短接情况的主要原因多是MOSFET出现了短路。
目前，存在的LV DC/DC针对副边MOSFET短路的诊断，通常都是在车辆上电后由主控制器或其他器件对全车各器件进行自检时实现的，普遍存在车辆开机前无法探测出MOSFET短路这一潜伏故障的问题，导致LV DC/DC运行后可能造成蓄电池短接，安全诊断机制不够完善，不能满足实际需求。
所以，现在本领域的技术人员亟需要一种副边MOSFET故障确定方法，解决目前对于副边MOSFET短路的诊断无法在开机前实现，导致诊断机制覆盖不够全面，安全性仍不足以满足用户需要的问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种副边MOSFET故障确定方法、装置及其介质，以解决目前对于副边MOSFET短路的诊断无法在开机前实现，导致诊断机制覆盖不够全面，安全性仍不足以满足用户需要的问题。
为解决上述技术问题，本申请提供一种副边MOSFET故障确定方法，包括：
根据预设的检测模型，发送对应的控制信号至LV DC/DC副边H桥电路的驱动芯片，以便于驱动芯片控制对应MOSFET的开通与闭合；
通过电压传感器采集副边H桥电路的中点电压；
根据中点电压确定副边H桥电路是否出现故障。
优选的，检测模型包括：第一检测模型；
第一检测模型为：
副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；
副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；
副边H桥电路B桥臂的上MOSFET对应的占空比为0；
副边H桥电路B桥臂的下MOSFET对应的占空比为0；
对应的，根据中点电压确定副边H桥电路是否出现故障包括：
若中点电压等于蓄电池电压平均值，则副边H桥电路中A桥臂或B桥臂的上MOSFET出现短路。
优选的，检测模型还包括：第二检测模型；
第二检测模型为：
副边H桥电路A桥臂的上MOSFET对应的占空比为0.4，并延迟0.5个周期；
副边H桥电路A桥臂的下MOSFET对应的占空比为0.4；
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