[发明专利]深沟槽电容及其制作方法在审
| 申请号： | 202211550698.5 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN115955911A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 赵常宝 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种深沟槽电容及其制作方法。深沟槽电容包括基底、深沟槽电容结构层、第一导电插塞和第二导电插塞，以及分别贯穿沟槽外围的深沟槽电容结构层的各层的第一通孔和第二通孔，第一导电插塞设置在第一通孔，第一导电插塞与第一通孔侧壁的各层第一导体层分别电连接，并与第一通孔侧壁的各层第二导体层绝缘，第二导电插塞设置在第二通孔，第二导电插塞与第二通孔侧壁的各层第二导体层分别电连接，并与第二通孔侧壁的各层第一导体层绝缘，以通过设置的第一导电插塞将所有第一导体层引出，通过第二导电插塞将所有第二导体层引出，避免各导体层通过不同的电连接线引出而占用深沟槽电容的空间，进而提高深沟槽电容的面积利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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