[发明专利]基于SiC的功率模块在审

专利信息
申请号: 202211542721.6 申请日: 2022-12-02
公开(公告)号: CN115732436A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 张焕云 申请(专利权)人: 深圳市思米半导体有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/473;H01L23/40
代理公司: 深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719 代理人: 陈建昌
地址: 518000 广东省深圳市宝安区航城街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种基于SiC的功率模块,包括电路基板组件,电路基板组件包括电路基板、设置在电路基板上的电路布线层和安装与电路布线层上的电子元件,电子元件包括发热量大的功率器件;其中电路基板的本体设置有贯穿其相对的两个侧边的通孔,通孔位于功率器件下方,通孔为冷却液提供流动的通路。本发明的电路基板相对现有技术的电路基板较厚,且在安装功率器件的下方设置有贯穿其相对的两个侧边的通孔,从而可供冷却液流通,对发热较大的功率器件如功率开关管、续流二极管等进行散热,以此有效的提升功率模块的散热能力,满足基于SiC材料的功率模块的高散热需求,提升功率模块的工作稳定性。
搜索关键词: 基于 sic 功率 模块
【主权项】:
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