[发明专利]集成电路器件的形成方法在审
| 申请号： | 202211538276.6 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN115831753A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;朱熙甯;蔡庆威;王志豪;梁英强;卡洛斯·H·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成：第一半导体带和第二半导体带；第一凹槽将第一半导体带与第二半导体带隔开；第二凹槽，其中，第一凹槽和第二凹槽位于第一半导体带的相对两侧；形成硬掩模，包括：垂直部分，位于第一半导体带的侧壁上和第二半导体带的侧壁上；第一水平部分，位于第一凹槽中；第二水平部分，位于第二凹槽中；和执行蚀刻工艺以蚀刻硬掩模、半导体衬底的直接位于第一凹槽下方的第一块体部分，以及半导体衬底的直接位于第二凹槽下方的第二块体部分；去除硬掩模；将介电材料填充到第一凹槽和第二凹槽中以形成隔离区，其中，隔离区包括位于第一半导体带和第二半导体带之间的内部隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211538276.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种焊接机器人教学装置
- 下一篇：一种架空线路接地用的水平运动平台
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
