[发明专利]过渡金属氮化物势垒高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202211528706.6 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115719764A | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;吴冠霖;姚佳佳;郭壮;李泽辉;赵澄;刘仁杰;袁金渊;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过渡金属氮化物势垒高电子迁移率晶体管，主要解决现有薄势垒层氮化物晶体管击穿电压和功率密度低、阈值电压难调控的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、铁电调控层、保护层；势垒层为钪钇铝氮与氮化铝的复合交替的叠层结构；铁电调控层为连续外延的单晶钪钇铝氮材料；保护层为连续外延的单晶氮化铝材料；保护层两侧设置钝化层，其上部为栅电极；沟道层上部至势垒层两侧均为欧姆接触区，欧姆接触区上分别为源、漏电极；源漏电极与栅电极之间填充钝化层。本发明势垒层极化强度大、击穿场强高，载流子浓度高，且铁电调控层能对器件阈值电压实现自由调控，可用于微波毫米波射频集成电路和数字开关集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡 金属 氮化物 势垒高 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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