[发明专利]一种嵌入式封装结构的制作方法在审
| 申请号： | 202211527746.9 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115799074A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 曹子鲲;黄剑;查晓刚;王建彬;付海涛;颜国秋;张伟;上官昌平 | 申请（专利权）人： | 上海美维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201613 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种嵌入式封装结构的制作方法，使用UV激光成孔工艺先于绝缘介质层中形成与芯片的焊盘具有一定距离的盲孔，再利用蚀刻工艺形成通孔，由于UV激光成孔工艺属于光化学作用，从而可以有效降低对芯片的热效应影响，以降低芯片损伤的风险，在一定程度上简化了制造工艺流程，提高了生产效率、且由于没有采用传统的湿法刻蚀工艺，从而可以减少环境污染、降低生产成本；此外，本发明所提供的工艺不受衬底表面的铜箔类型的限制，无需对表面做任何开窗处理，具有很高的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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