[发明专利]一种P型IBC电池制备方法

摘要

本发明涉及一种P型IBC电池制备方法，包括：(1)对P型硅片进行预处理；(2)先在硅片背面沉积隧穿氧化层，再沉积磷掺杂的非晶硅层；(3)清除硅片正面的绕镀层，再在硅片正面沉积正面掩膜层；(4)对硅片背面进行第一次激光开槽，再进行酸洗；(5)在硅片背面沉积背面掩膜层；(6)对硅片背面进行第二次激光开槽；(7)采用清洗液对硅片进行清洗；(8)对硅片依次进行氧化退火、硅片背面沉积背面钝化层、电极制备、烧结处理。本发明提供的电池制备方法，通过二次激光消融，使残留的掺杂多晶硅层尽量少，再结合较为温和的湿化学方法能控制侧壁的腐蚀量，使P区展宽减小，且得到的P区和N区图形较为规则，从而提升电池的效率。