[发明专利]基于二维异质结的室温全电控磁存储单元及存储器在审
| 申请号： | 202211496927.X | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115768128A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王开友;林海龙;朱文凯;兰修凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N59/00;H10N50/85;H10N50/10;H10N50/80 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 郭梦雅 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供一种基于二维异质结的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的竞争自旋流合金层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；竞争自旋流合金层由相反自旋霍尔角的合金材料或自旋霍尔角相反的过渡金属元素组成的合金组成，通过竞争自旋流效应产生的额外的面外极化的自旋流实现室温范德华磁性自由层无外磁场辅助的纯电控磁翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性的变化而变化。还提供一种磁存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 异质结 室温 全电控磁 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
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