[发明专利]可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构及控制方法在审
| 申请号： | 202211472023.3 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115747952A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李卫月;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构及控制方法，籽晶支撑机构包括籽晶杆、籽晶托和散热线，所述籽晶托与所述籽晶杆的下端连接，所述籽晶托内设有沿所述籽晶托径向方向布置的容纳腔；所述散热线至少具有第一状态和第二状态，并可在第一状态和第二状态之间切换；在所述第一状态，所述散热线的下部穿插在所述籽晶杆内；在所述第二状态，所述散热线穿过所述籽晶杆后伸至所述容纳腔内，且所述散热线的端部直达所述容纳腔的外端。本发明通过调节散热线的位置，可改变籽晶生长表面的温度分布，从而调节晶体表面生长的速度，提高晶片产出率，降低生长成本，提高晶体的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 碳化硅 晶体生长 速度 籽晶 支撑 机构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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