[发明专利]可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构及控制方法

权利要求书

1.一种可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构，其特征在于，包括：

籽晶杆；

籽晶托，所述籽晶托与所述籽晶杆的下端连接，所述籽晶托内设有沿所述籽晶托径向方向布置的容纳腔；

散热线，所述散热线至少具有第一状态和第二状态，并可在第一状态和第二状态之间切换；

在所述第一状态，所述散热线的下部穿插在所述籽晶杆内；

在所述第二状态，所述散热线穿过所述籽晶杆后伸至所述容纳腔内，且所述散热线的端部直达所述容纳腔的外端。

2.根据权利要求1所述的一种可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构，其特征在于，所述容纳腔内设有隔热粉料，所述籽晶托内设有与所述容纳腔外端连通的储料腔，当所述散热线由第一状态切换至第二状态时，所述隔热粉料被推至所述储料腔内。

3.根据权利要求1所述的一种可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构，其特征在于，所述容纳腔有多个，多个所述容纳腔呈单层或多层布置在所述籽晶托内。

4.根据权利要求3所述的一种可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构，其特征在于，

当所有所述容纳腔单层布置时，所有所述容纳腔均处于同一水平面，并沿所述籽晶托的周向均布；

当所有所述容纳腔多层布置时，所有所述容纳腔分成多个所述容纳腔组，每个所述容纳腔组内的所有所述容纳腔均处于同一水平面，并沿所述籽晶托的周向均布。

5.根据权利要求1所述的一种可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构，其特征在于，所述散热线的上部外侧设有绝热层，并连接有热电偶传感器。

6.根据权利要求1所述的一种可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构，其特征在于，还包括调节机构，所述调节机构为多个，并与所述散热线一一对应连接，以带动与其相连的所述散热线在所述第一状态和所述第二状态之间切换。

7.根据权利要求6所述的一种可控制碳化硅晶体生长速度的籽晶支撑机构，其特征在于，所述调节机构包括：

第一压辊；

第二压辊，所述第二压辊、所述第一压辊对应布置在所述散热线的两侧，以夹紧所述散热线；

主动齿轮，所述主动齿轮安装在所述第一压辊的端部；

从动齿轮，所述从动齿轮安装在所述第二压辊的端部，并与所述主动齿轮相啮合；

双向伺服电机，所述双向伺服电机的输出端与所述第一压辊连接。

8.一种利用权利要求1所述的籽晶支撑机构实现碳化硅晶体生长的控制方法，其特征在于，包括：

在长晶前期，控制所述散热线保持在所述第一状态；

在长晶中期，控制所述散热线以第一预设速度向所述容纳腔内移动，直至所述散热线由所述第一状态切换至所述第二状态，且所述散热线保持在所述第二状态；

在长晶后期，控制所述散热线以第二预设速度从所述容纳腔内抽离，直至所述散热线由所述第二状态切换至所述第一状态，且所述散热线保持在所述第一状态。

9.根据权利要求8所述的一种利用籽晶支撑机构实现碳化硅晶体生长的控制方法，其特征在于，所述容纳腔内设有隔热粉料，所述籽晶托内设有与所述容纳腔外端连通的储料腔，在所述长晶中期，所述散热线由第一状态切换至第二状态时，所述容纳腔内的所述隔热粉料被推至所述储料腔内。

10.根据权利要求8所述的一种利用籽晶支撑机构实现碳化硅晶体生长的控制方法，其特征在于，所述散热线的上部外侧设有绝热层，并连接有热电偶传感器；在长晶中期，部分所述散热线的状态可根据热电偶传感器的检测值由第二状态切换至第一状态。