[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202211453306.3 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN116207042A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 小川雄辉;渡部晃司;桥本一辉;青柳元;小林正和 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;杨俊波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供器件芯片的制造方法，与以往的方法相比，能够抑制树脂层的硬化。该器件芯片的制造方法通过将在由分割预定线划分的正面侧的区域内设置有器件的板状的被加工物利用分割预定线进行分割而制造包含器件的器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤，在被加工物的正面侧形成包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层；以及被加工物切断步骤，在树脂层形成步骤之后，从在正面侧设置有树脂层的被加工物的背面侧沿着分割预定线将被加工物切断，由此制造器件芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
