[发明专利]一种原子层、分子层沉积设备及沉积方法在审

专利信息
申请号: 202211446425.6 申请日: 2022-11-18
公开(公告)号: CN115747768A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 董红;罗锋;冯泽 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/46;C23C16/448
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 张晓博
地址: 300350 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供了一种原子层、分子层沉积设备及沉积方法。本发明的原子层、分子层沉积设备,沉积腔体外壁面对应样品台处设有第一加热部件,沉积腔体外壁面位于样品台之外的位置设有至少一个第二加热部件,即沉积腔体采用多温区加热方式,第一加热部件对应的加热温度为待沉积样品薄膜生长的温度,而第二加热部件对应的加热温度则低于待沉积样品薄膜生长的温度,采用多温区加热方式,降低了设备对于密封胶圈的耐温需求;多个前驱体源瓶通过一转多转接件与第一管道另一端连通,前驱体源瓶之间为并联方式,由于每个前驱体源瓶均连通有载气管路,因此,每一个前驱体都会进行载气负载,避免了前驱体源之间的交叉污染。
搜索关键词: 一种 原子 分子 沉积 设备 方法
【主权项】:
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