[发明专利]一种可调控偏振发光模式的发光二极管在审
| 申请号： | 202211412638.7 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN116111012A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 谢思扬;宋敏航;陶志阔 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;G02B5/30 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 母秋松 |
| 地址： | 210033 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 偏振 发光 模式 发光二极管 | ||
【主权项】：
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