[发明专利]一种半导体晶圆激光切割装置及方法有效
| 申请号： | 202211410609.7 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115458468B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杨志勇;王恒;单庆喜;李宰卿;成鲁荣 | 申请（专利权）人： | 扬州韩思半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体处理技术领域，提供了一种半导体晶圆激光切割装置及方法，在本申请中具体的通过设置第一螺杆带动滑座沿着收容槽移动，使得滑台沿着导轨在壳体内进出实现对晶圆进行上下料，进入到壳体内部时被位于壳体内部的激光头进行激光切割加工，其中在第一螺杆带动滑座进入到壳体内时，滑座内部的齿环在收容槽内侧壁设置的一段齿条的作用下进行转动，进而带动第二螺杆进行转动，带动活塞板在负压孔中进行下降，实现对负压孔上方空间产生负压。采用负压吸附对晶圆进行加工时的固定，可以有以下好处一方面可以对不规则的凹状或者凸状的晶圆进行吸附固定，另一方面由于与晶圆解除的部分为柔性材料，避免原有夹持对晶圆造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 切割 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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