[发明专利]一种芯片式熔断器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211410564.3 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115621099A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 杨漫雪;刘明龙 | 申请（专利权）人： | 南京萨特科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/041 | 分类号： | H01H85/041;H01H85/055;H01H85/143;H01H85/175;H01H85/00;H01H69/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 210049*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片式熔断器，包括壳体、位于壳体两端的电极部、位于壳体内的熔断体部；电极部、熔断体部为同一条金属带材一体弯折成型；电极部包括一个长电极部及一个短电极部，长电极部覆盖于壳体一端外侧的开口或开槽并进入收容腔内与电极部连接，短电极部覆盖于底壁外端并自开口进入收容腔内与电极部连接；所述收容腔的至少一端被密封胶密封，且该密封胶外表面与外部空气接触。密封胶不与熔断体部直接接触，大大降低了密封胶的老化风险。本发明同时提供了该芯片式熔断器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 熔断器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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