[发明专利]一种芯片式熔断器及其制备方法

权利要求书

1.一种芯片式熔断器，包括壳体、位于壳体两端的电极部、位于壳体内的熔断体部；电极部、熔断体部为同一条金属带材一体弯折成型；其特征在于，所述壳体包括顶壁、底壁、两侧壁，顶壁、底壁、两侧壁围成收容腔，壳体的两端设有开口和/或开槽；

两端的电极部包括一个长电极部及一个短电极部，长电极部覆盖于壳体一端外侧的开口或开槽并进入收容腔内与电极部连接，短电极部覆盖于底壁外端并自开口进入收容腔内与电极部连接；所述收容腔的至少一端被密封胶密封，且该密封胶外表面与外部空气接触。

2.根据权利要求1所述的芯片式熔断器，其特征在于：壳体的一端设有端壁而另一端为开口，端壁上设有与收容腔连通的开槽，长电极部覆盖于端壁及开槽外侧并自开槽向收容腔内延伸与电极部连接；所述电极部自与长电极部连接所在位置在收容腔内倾斜向下延伸并与短电极部连接；所述开口和开槽处设置密封胶对开口和开槽密封。

3.根据权利要求2所述的芯片式熔断器，其特征在于：所述开口面积与收容腔横截面积一样；短电极部覆盖于底壁外端并弯折延伸至底壁的底部；开槽的横截面积小于收容腔横截面积，所述长电极部覆盖于端壁并自端壁外侧并弯折延伸至底壁的底部。

4.根据权利要求2或3所述的芯片式熔断器，其特征在于：所述收容腔内填充有包裹熔断体部的灭弧材料。

5.根据权利要求1所述的芯片式熔断器，其特征在于：所述壳体的两端均设有开口，所述底壁的一端设有向内倾斜形成倒角的凹面部，所述长电极部设有向内折弯的有弹性的凸起部，该凸起部抵靠于凹面部；长电极部将开口完全覆盖封闭并紧贴顶壁内表面，长电极部自顶壁内表面向收容腔内延伸与熔断体部连接。

6.根据权利要求5所述的芯片式熔断器，其特征在于：壳体在底壁设置凹面部一端的开口面积大于收容腔横截面积；壳体另一端的开口面积与收容腔横截面积一样。

7.根据权利要求5或6所述的芯片式熔断器，其特征在于：所述长电极部所在一端的开口不设置密封胶，短电极部所在一端覆盖密封胶密封。

8.根据权利要求7所述的芯片式熔断器，其特征在于：所述收容腔内填充有包裹熔断体部的灭弧材料。

9.一种如权利要求2至4中任一项所述的芯片式熔断器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：将金属带材冲压形成熔断体部；

步骤(2)：将冲压形成熔断体部的金属带材从绝缘壳体的开槽穿入收容腔内部，并从另一端开口侧穿出；

步骤(3)：将穿入收容腔的金属带材先沿下侧壁的端面向下折弯，形成短电极部，再沿底壁底面向内折弯，形成焊接面，使金属带材完全固定到壳体上；

步骤(4)：将壳体带有焊接面的一端向下摆放，用点胶机在壳体的开槽点胶密封，并使密封胶固化；

步骤(5)：将壳体的开口面向上，已密封面向下，向收容腔内部填充灭弧材料并振实；

步骤(6)：在灭弧材料表面再通过填充密封胶将开口封闭，并固化。

10.一种如权利要求5至8中任一项所述的芯片式熔断器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：将金属带材冲压形成熔断体部；在设计要求位置冲压折弯形成凸起部；

步骤(2)：将冲压形成熔断体部的金属带材从绝缘壳体的开槽穿入收容腔内部，并从另一端开口侧穿出；

步骤(3)：先将金属带材拉紧，使金属带材上的凸起部紧密贴合到壳体的凹面部上，通过凸起部的弹性力使金属带材上端紧贴自顶壁内表面，再将金属带材的两端部同时向底壁底部折弯形成焊接面，同时以金属带材的宽度来密闭壳体的一端；

步骤(4)：将壳体的开口面向上，已密封面向下，向收容腔内部填充灭弧材料并振实；

步骤(5)：在灭弧材料表面再通过填充密封胶将开口封闭，并固化。