[发明专利]深沟槽隔离光电二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种深沟槽隔离光电二极管的制造方法，提供衬底，在衬底上形成N型外延层以及位于N型外延层上的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层，使得其下方的刻蚀阻挡层裸露，光刻胶层上打开的区域包括第一、二区域，每四个第一区域沿第二区域呈圆周分布，第二区域与其周围第二区域的距离为第一设计值；刻蚀裸露的刻蚀阻挡层及其下方的N型外延层形成第一凹槽，之后在第一凹槽上形成侧壁保护层，之后刻蚀第一凹槽的底部，刻蚀N型外延层形成第二凹槽；在第二凹槽上形成本征外延层，之后在本征外延层上形成第一P型外延层至侧壁保护层的底部。本发明减少各向同性刻蚀的量，减小N型外延层的损耗。