[发明专利]深沟槽隔离光电二极管的制造方法

权利要求书

1.一种深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成N型外延层以及位于所述N型外延层上的刻蚀阻挡层；

步骤二、在所述刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层，使得其下方的刻蚀阻挡层裸露，所述光刻胶层上打开的区域包括第一、二区域，每四个所述第一区域沿所述第二区域呈圆周分布，所述第二区域与其周围所述第二区域的距离为第一设计值；

步骤三、刻蚀裸露的所述刻蚀阻挡层及其下方的所述N型外延层形成第一凹槽，之后在所述第一凹槽上形成侧壁保护层，之后利用各向异性刻蚀的方法刻蚀所述第一凹槽的底部，再利用各向同性刻蚀的方法刻蚀所述N型外延层形成第二凹槽；

步骤四、在所述第二凹槽上形成本征外延层，之后在所述本征外延层上形成第一P型外延层至所述侧壁保护层的底部；

步骤五、去除侧壁保护层和所述刻蚀阻挡层，在所述第一外延层上形成覆盖所述N型外延层的第二P型外延层，之后研磨所述第二P型外延层至所述N型外延层的上方。

2.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤二中所述第一、二区域的形状均为矩形。

5.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤二中每个所述第一区域距所述第二区域的距离均相等。

6.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤二中所述第一设计值为50至100纳米。

7.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤二中所述第一、二区域靠近的一边的长度相等，其长度均为0.2至0.4微米。

8.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤二中两所述第二区域间的距离为0.3至0.5微米。

9.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤三中所述第一凹槽在所述N型外延层上的深度为0.3至0.8微米。

10.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤三中所述侧壁保护层的材料为氮化硅或二氧化硅。

11.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤三中所述侧壁保护层的厚度为10至50纳米。

12.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤三中所述第二凹槽在所述N型外延层上的深度为2.7至3.3微米。