[发明专利]带短路保护的高侧MOSFET开关芯片及其短路保护控制方法在审
| 申请号： | 202211380004.8 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115733476A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 熊平;杨世红;余远强;付玉建 | 申请（专利权）人： | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710199 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出带短路保护的高侧MOSFET开关芯片及其短路保护控制方法，旨在解决现有高侧MOSFET开关芯片在输出短路时容易烧毁功率MOS管的技术问题。该高侧MOSFET开关芯片包括电荷泵、振荡器、逻辑控制单元、线性稳压器、功率MOS管以及短路保护单元；短路保护单元分别与VBB引脚、高侧电源电压Vs、OUT引脚以及功率MOS管GATE驱动端连接，包括第一级Von检测电路、第二级Von检测及箝位限流电路、延迟时间产生电路以及使能信号产生电路；在满足一定的阈值电压及延时要求时，短路保护单元下拉GATE驱动端电压以关断功率MOS管并锁定短路保护状态，或者将GATE驱动端和VOUT引脚的压降箝位至箝位电压。 | ||
| 搜索关键词： | 短路 保护 mosfet 开关 芯片 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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