[发明专利]异质结双极晶体管结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211378458.1 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115714137A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 邹道华;高谷信一郎;黄仁耀;刘昱玮 | 申请（专利权）人： | 常州承芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞 |
| 地址： | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底、集电极、初始基极以及初始发射极；在初始发射极上形成发射极电极；以发射极为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀初始发射极形成发射极；在初始基极上形成基极电极；对初始基极进行图形化处理形成基极；在集电极上形成集电极电极。由于干法刻蚀工艺不会产生侧向刻蚀的问题，因此可以直接以发射极电极为掩膜对初始发射极进行刻蚀，而且采用干法刻蚀工艺可以省去湿法刻蚀工艺中的刻蚀停止层，不但省去了制程光罩降低制作成本，而且形成的发射极的尺寸与发射极电极的尺寸相同，能够有效提升发射极与发射极电极之间的电传导性和热传导性，进而提升器件结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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