[发明专利]一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法在审
| 申请号： | 202211366827.5 | 申请日： | 2022-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN115547859A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;吴毓颖;何艳;赵树君;王盈莹;陈凯;王立春 | 申请（专利权）人： | 上海航天电子通讯设备研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50;H01L21/48;H01L23/48;H01L23/373;H01L23/14;H01L23/482 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，包括：将铝合金基板作为底板；在所述铝合金基板上制作双面腔体掩膜，对所述基板进行一次非穿透性阳极氧化；通过选择性穿透铝阳极氧化和阳极氧化铝的各向异性刻蚀特性，制作结构功能一体化载板；在所述结构功能一体化载板的腔体内贴装芯片以及在所述载板表面布线；在所述载板表面制作重布线层；将载板一面用环氧塑封胶完全包封，另一面植球，形成系统级双面扇出型封装结构。本发明方法使用铝阳极氧化结构功能一体化载板，具有工艺流程简单、成本低，各向异性腐蚀加工腔体精度高，导热性好等特点，可提高芯片双面扇出型封装的精度、密度、支撑强度、散热能力和信号传输完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 铝基板 系统 双面 扇出型 封装 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
