[发明专利]一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法在审
| 申请号： | 202211366827.5 | 申请日： | 2022-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN115547859A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;吴毓颖;何艳;赵树君;王盈莹;陈凯;王立春 | 申请（专利权）人： | 上海航天电子通讯设备研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50;H01L21/48;H01L23/48;H01L23/373;H01L23/14;H01L23/482 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 使用 铝基板 系统 双面 扇出型 封装 结构 加工 方法 | ||
1.一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01：将铝合金基板作为底板；
S02：在所述铝合金基板上制作双面腔体掩膜，对所述基板进行一次非穿透性阳极氧化；
S03：通过选择性穿透铝阳极氧化和阳极氧化铝的各向异性刻蚀特性，制作结构功能一体化载板；
S04：在所述结构功能一体化载板的腔体内贴装芯片以及在所述载板表面布线；
S05：在所述载板表面制作重布线层；
S06：将载板一面用环氧塑封胶完全包封，另一面植球，形成系统级双面扇出型封装结构。
2.根据权利要求1所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述结构功能一体化载板内部具有双面腔体、导热金属铝层和垂直互连通柱。
3.根据权利要求2所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述双面腔体基于多孔氧化铝各向异性腐蚀加工而成。
4.根据权利要求2所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述导热金属铝层位于所述双面腔体的两个相对的腔体之间。
5.根据权利要求4所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述导热金属铝层为铝合金制成，所述导热金属铝层的厚度小于50微米。
6.根据权利要求2所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述垂直互连通柱为同轴铝柱结构，用于实现所述载板两表面信号的完整传输。
7.根据权利要求4所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述腔体置于所述载板的上下表面，所述腔体的尺寸略大于所述芯片的尺寸。
8.根据权利要求2所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述导热金属铝层、所述双面腔体和所述垂直互连通柱均为底板上的铝合金原位形成。
9.根据权利要求1所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述芯片埋置于所述载板上下表面的腔体内，并通过封装结构一侧的焊球与外部载板进行连接。
10.根据权利要求2所述的使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，所述芯片与重布线层互连，所述基板双侧的重布线层之间通过同轴结构的所述通柱连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
