[发明专利]一种稀土掺杂X-IGZO靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202211346881.3 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115745572A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王志强;张兵;曾墩风;马建保;陶成 | 申请（专利权）人： | 芜湖映日科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/22 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 殷明凤 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市(安徽)自由*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稀土掺杂X‑IGZO靶材及其制备方法，属于靶材技术领域。所述X‑IGZO靶材的粉体成分包括稀土氧化物粉末、氧化铟、氧化镓、氧化锌粉末，所述的稀土氧化物粉末为氧化镧、氧化镨、氧化钕任何之一或者其中两种混合物，所述稀土氧化物粉末的质量含量为总质量1％‑3％；所述氧化镓质量含量为总质量15％，所述氧化锌质量含量为总质量20％，余量为氧化铟。制备工艺采取独特的球磨粗磨+精磨+纳米砂磨三步法工艺，可以确保稀有氧化物粉末在整个粉体中分布的均匀性，确保了烧结后的靶材密度、电阻率、晶粒尺寸的均匀性，从而为客户指标发出高性能的TFT基建打下了基础。可以解决IGZO迁移率低、稳定性差的根本性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 掺杂 igzo 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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