[发明专利]卧式热处理炉、热处理方法及硅晶圆的制造方法在审
| 申请号： | 202211346527.0 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN116130379A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 川崎悠平;品川正行;草场辰己 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;C30B29/06;C30B33/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;吴强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供晶圆面内的温度分布变得均匀的卧式热处理炉、热处理方法及硅晶圆的制造方法。本发明的卧式热处理炉(1)具备炉芯管(11)、加热器(15)、门(13)、晶圆舟(16、17)、叉(18)，前述炉芯管(11)在一端具有开口部(12)，前述加热器(15)将前述炉芯管包围，前述门(13)将前述炉芯管的开口部开放及关闭，前述晶圆舟(16、17)配置于前述炉芯管的内部，搭载立起状态的晶圆(W)，前述叉(18)在前述炉芯管的内部从前述门沿水平方向延伸，支承前述晶圆舟，卧式热处理炉(1)的特征在于，前述叉(18)具有支承前述晶圆舟的框部(181)、被前述框部(181)围绕的空间部(182)。 | ||
| 搜索关键词： | 卧式 热处理 方法 硅晶圆 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211346527.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
