[发明专利]一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置在审
| 申请号： | 202211343672.3 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115458647A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘胜男;柯韦帆;刘佳玉;胡鹏杰;白潇 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本申请提供一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置，在将外延结构键合至衬底之后，首先刻蚀外延结构形成第一台面，形成第一台面之后，在第一台面处继续刻蚀外延结构直至将外延结构刻穿暴露反射层，形成第二台面。第二台面的宽度小于第一台面的宽度，第一台面和第二台面具有高低差，该结构可有效降低大角度光在外延结构内的内部反射，降低对光的二次吸收，提升侧光出光率。在形成有第一台面和第二台面的结构表面形成保护层，该保护层在第二台面处覆盖裸露的反射层，对外延结构及反射层起到保护作用，能够保护外延结构的侧壁以及反射层不受衬底背面研磨后处理液的侵蚀，保证外延结构的完整度，提高芯片的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 led 芯片 结构 及其 制造 方法 发光 装置 | ||
【主权项】：
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