[发明专利]一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置

权利要求书

1.一种垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备外延结构，所述外延结构包括依次叠置的第一导电类型的半导体层、发光层以及第二导电类型的半导体层；

提供一衬底，所述衬底具有正面和与正面相对的背面；

将所述外延结构键合至所述衬底的正面，其中所述第二导电类型的半导体层所在的一侧与所述衬底键合；

在切割区对应位置处对所述外延结构进行第一次刻蚀，以形成第一台面，暴露出所述第一导电类型的半导体层及发光层的侧壁，所述第一台面的表面为所述第二导电类型的半导体层；

在所述第一台面处对所述外延结构进行第二次刻蚀，形成第二台面，暴露出所述第二导电类型的半导体层的侧壁；

在所述第一台面的表面及侧壁、所述第二台面的表面及侧壁以及所述外延结构的表面形成保护层；

在所述衬底的背面形成背面电极，所述背面电极与所述第二导类型的半导体层电性连接。

2.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，制备外延结构还包括如下步骤：

提供一临时衬底；

在所述临时衬底的正面依次沉积第一导电类型的半导体层、发光层及第二导电类型的半导体层；

在所述第二导电类型的半导体层的上方形成第二电极，所述第二电极包括紧邻所述第二导电类型的半导体层的电流阻挡层以及透明导电层，以及形成在所述电流阻挡层和所述透明导电层上方的反射层，其中所述透明导电层形成在贯穿所述电流阻挡层的通孔中与所述第二导电类型的半导体层接触；

在所述反射层的上方形成键合层。

3.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，在与所述衬底的正面相对的背面形成背面电极还包括如下步骤：

向所述衬底的背面施加研磨液，对所述衬底的背面进行掩膜减薄；

采用去离子水对减薄后的所述衬底进行清洗，并烘干；

在所述衬底的背面沉积金属层，形成所述背面电极。

4.根据权利要求2所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述第二台面的表面为所述键合层，在所述第二台面处，所述保护层覆盖所述反射层，与所述反射层形成连续结构。

5.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，将所述外延结构键合至所述衬底的正面之后还包括：在所述第一导电类型的半导体层上方形成第一电极。

6.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二台面之后，对所述第一导电类型的半导体层远离所述发光层的表面进行粗化。

7.根据权利要求1所述的垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，还包括：沿所述第二台面对所述衬底进行切割，以将获得独立的LED芯片。

8.一种垂直LED芯片结构，其特征在于，包括：

衬底，具有正面和与正面相对的背面；

位于所述衬底的正面的外延结构，所述外延结构包括依次叠置的第一导电类型的半导体层、发光层以及第二导电类型的半导体层，其中所述第二导电类型的半导体层所在的一侧与所述衬底键合；

第一台面，形成在切割区域对应的所述第二导电类型的半导体层中，所述第一台面的表面为所述第二导电类型的半导体层；

第二台面，形成在所述第一台面中，所述第二台面的表面为所述衬底；

保护层，形成在所述第一台面的表面及侧壁、所述第二台面的表面及侧壁以及位于所述切割区的所述第一导电类型的半导体层的表面；

背面电极，形成在所述衬底的背面，所述背面电极与所述第二导类型的半导体层电性连接。

9.根据权利要求8所述的垂直LED芯片结构，其特征在于，还包括形成在所述第一导电类型的半导体层上方的第一电极。