[发明专利]一种电阻阵列辐射特性低温背景测试方法在审
| 申请号： | 202211341390.X | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN116125142A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 赵松庆;陈海燕;张帆;李睿;郝燕云 | 申请（专利权）人： | 中国空空导弹研究院 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 471009 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种电阻阵列辐射特性低温背景测试方法，应用于电阻阵列辐射特性测试装置，该测试装置能够将像方冷光阑的中间像成像在物方冷光阑上，使像方冷光阑真正起到了遮挡电阻阵列和红外探测器之间环境热散辐射的作用，避免热散辐射被红外探测器所敏感，产生热噪声。由于物方冷光阑遮挡了像方冷光阑之外的热部件所产生的热辐射光束，因此能够防止该热辐射光束被电阻阵列表面反射，并在红外探测器上形成非均匀性冷反图像。本发明的测试方法排除了热噪声、冷反现象、以及等效黑体辐射温度对辐射特性测试造成的负面影响，实现了对MOS电阻阵列目标模拟器的准确测试，从而为MOS电阻阵列目标模拟器产生的红外场景图像提供了重要的参考依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 阵列 辐射 特性 低温 背景 测试 方法 | ||
【主权项】：
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