[发明专利]一种电阻阵列辐射特性低温背景测试方法

权利要求书

1.一种电阻阵列辐射特性低温背景测试方法，其特征是：应用于电阻阵列辐射特性测试装置，所述电阻阵列辐射特性测试装置包括热像仪本体、测试镜头、电阻阵列和黑体；其中，测试镜头安装在热像仪本体上，热像仪本体具有红外探测器和像方冷光阑，测试镜头由前置成像镜组、后置成像镜组和镜筒构成，在测试镜头与电阻阵列之间设置有物方冷光阑；热像仪本体和测试镜头安装在旋转台上，黑体以旋转台的轴心为圆心，呈扇形阵列排布；

所述测试方法包括以下步骤：

S1：调整前置成像镜组和后置成像镜组，使电阻阵列的热图像成像于红外探测器阵面上，并使像方冷光阑成像于物方冷光阑上；

S2：前后调整物方冷光阑的位置，使物方冷光阑与像方冷光阑的像重合，以遮挡成像光路之外的热辐射光束，防止该热辐射光束入射电阻阵列表面，在红外探测器上形成非均匀性冷反图像；

S3：使用辐射温度计和黑体对电阻阵列辐射特性测试装置进行标定；

S4：对电阻阵列的辐射特性进行测试，得到电阻阵列的背景等效黑体温度。

2.如权利要求1所述的一种电阻阵列辐射特性低温背景测试方法，其特征是：物方冷光阑和电阻阵列安装在真空环境箱内，在真空环境箱朝向测试镜头的一端安装有球面窗口板，球面窗口板用于将电阻阵列产生的、未能透射球面窗口板的热辐射散光向四周扩散反射，防止该热辐射散光被电阻阵列表面反射，形成背景热散辐射。

3.应用如权利要求1或2所述测试装置的一种电阻阵列辐射特性低温背景测试方法，其特征是：所述物方冷光阑呈套筒形，所述电阻阵列位于物方冷光阑的内孔中。

4.如权利要求1所述的一种电阻阵列辐射特性低温背景测试方法，其特征是：S3包括以下分步骤：

S3.1：标定黑体出口的等效温度；

将辐射温度计安装在旋转台的轴心上，给黑体上电加热，并设定黑体的加热温度；将辐射温度计的辐射系数设定为1.0，调整黑体到辐射温度计之间的距离，使得辐射温度计的可见光指示系统聚焦在黑体的出口处，待黑体温度稳定后再进行测试；旋转辐射温度计，使辐射温度计对准下一个黑体，对不同温度的黑体进行逐一测试；

S3.2：标定热像仪；

将热像仪本体和测试镜头安装在旋转台的轴心上，给黑体上电加热，并设定黑体的加热温度；启动热像仪本体，设定积分时间，对热像仪本体进行非均匀性修正；调整黑体相对于热像仪本体和测试镜头的位置，使黑体的出口光阑在红外探测器表面上的成像清晰，并使热像仪本体输出的图像灰度值在其量程的55％～85％之间，以降低仪器误差和对测量稳定性的影响，否则重设积分时间；

S3.2：搭建并调试测试光路；

在热像仪本体的显示器中心画出72×72元的测试范围框，点亮216×216元电阻阵列，调整电阻阵列与测试镜头之间的相对位置，使电阻阵列在红外探测器表面上的热成像清晰，且使热成像充满显示器的测试范围框，实现物像共轭。