[发明专利]声子极化激元增强的平面型阻挡杂质带长波红外探测器及制备方法在审
申请号: | 202211327398.0 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN115642190A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 杨青;孟雷欣;武英杰;刘旭 | 申请(专利权)人: | 之江实验室 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/09;H01L31/18;G02B5/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 邱启旺 |
地址: | 311121 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种声子极化激元增强的平面型阻挡杂质带长波红外探测器及制备方法。器件自下而上依次为衬底,水平排列的接触层、吸收层和阻挡层,声子极化激元增强层以及金属电极;其中,衬底和阻挡层为本征半导体,接触层和吸收层为通过离子注入制备得到的掺杂半导体,声子极化激元增强层为通过沉积法制备得到的具有周期性微纳结构的声子极化激元材料薄膜。本发明的特点是利用微纳结构耦合入射光并激发声子极化激元,通过声子极化激元的限域光场约束效应增强探测器在长波红外波段的光吸收性能,制作工艺简单、灵敏度高的长波红外探测器。 | ||
搜索关键词: | 极化 增强 平面 阻挡 杂质 长波 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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