[发明专利]一种碳化硅晶片的生成方法及其装置在审
| 申请号： | 202211322542.1 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115662889A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张紫辰;石海燕;侯煜;文志东;张昆鹏;张喆;李曼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/04;H01L21/268;B23K26/00;B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 袁铭广 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶片的生成方法及其装置，该碳化硅晶片的生成方法通过先将激光光束聚焦在距离单晶碳化硅锭内部的预定深度层并扫描，在预定深度层位置处形成改质层；之后采用金刚石线锯对改质层进行线切割，以改质层为界面，将单晶碳化硅锭的一部分剥离生成碳化硅晶片。由于改质层的材料为单晶硅、非晶硅及碳，其硬度均较碳化硅低得多，在采用金刚石线锯对改质层进行线切割时，减少金刚石线锯的磨损，减小线切割难度。选择更细的金刚石线锯，降低单晶碳化硅锭的损失，提高单晶碳化硅锭的切片产出率。无需采用机械剥离方式，能够避免出现机械剥离过程中可能会因受力不均造成碳化硅晶片碎裂的现象，提高产品良率及剥离效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 生成 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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