[发明专利]一种LED外延片、制备方法及电子设备在审
| 申请号： | 202211322434.4 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115377260A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 汤涛;朱江;张铭信;陈铭胜;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED外延片、制备方法及电子设备，所述LED外延片包括多量子阱层，所述多量子阱层包括交替堆叠的量子阱层及量子垒层，其中，所述量子垒层包括交替排布的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为含Er组分的量子垒子层。通过在量子垒中加入Er组分，以使量子垒层中形成GaN/含Er组分的量子垒子层的超晶格结构，从而提高多量子阱层中对电子的势垒高度，减少了电子的泄漏；并且含Er组分的量子垒子层和所述GaN层可实现面内晶格常数匹配和无应变材料生长，从而降低器件有源区位错密度，减小位错散射和漏电通道,使得外延结构具有更优越的性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211322434.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
