[发明专利]异质结双极晶体管结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211312430.8 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115602712A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 潘林;袁海旭;杨磊;何鹏 | 申请（专利权）人： | 常州承芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞 |
| 地址： | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成集电极；在集电极上形成基极；在基极上形成发射极；在发射极上形成保护层，保护层内具有保护层开口，保护层暴露出发射极的部分顶部表面；在保护层开口暴露出的发射极表面、以及保护层开口两侧保护层的部分顶部表面形成初始基极金属层；对初始基极金属层进行退火处理，形成基极金属层，基极金属层贯穿发射极且延伸至基极内。在退火处理的过程中，通过初始基极金属层覆盖的保护层作为阻挡，有效防止避免初始基极金属层异常下层的问题，进而有效避免形成的基极金属层贯穿基极，造成基极漏电的问题，有效提升器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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