[发明专利]一种基于InAs/GaSb的长红外超晶格的制备方法

摘要

本发明提供了一种基于InAs/GaSb的长红外超晶格的制备方法包括：在465℃的温度下，在脱氧处理后的GaSb衬底生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；在420℃的温度下，在GaSb缓冲层上生长100个周期的InAs/GaSb超晶格，其中，包括：在GaSb缓冲层上生长GaSb超晶格，其中，Sb与Ga的五三束流比为2；间隔一段时间后，在GaSb超晶格上生长第一InSb层；间隔一段时间后，在第一InSb层上生长InAs超晶格，其中，As与In的五三束流比为7；间隔一端时间后，在InAs超晶格上生长第二InSb层。本发明通过在InAs/GaSb超晶格中主动插入InSb层用以平衡InAs层和GaSb层晶格失配带来的影响。同时在不同层间生长时加入中断时间，使得原子在材料表面有足够时间进行迁移，使表面形貌更好。