[发明专利]一种基于InAs/GaSb的长红外超晶格的制备方法

权利要求书

1.一种基于InAs/GaSb的长红外超晶格的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤S1、对GaSb衬底除气；

步骤S2、对GaSb衬底进行脱氧处理；

步骤S3、在465℃的温度下，在脱氧处理后的GaSb衬底生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；

步骤S4、在420℃的温度下，在GaSb缓冲层上生长100个周期的InAs/GaSb超晶格，其中，包括：

步骤S41、在GaSb缓冲层上生长GaSb超晶格，其中，Sb与Ga的五三束流比为2；

步骤S42、间隔一段时间后，在GaSb超晶格上生长第一InSb层；

步骤S43、间隔一段时间后，在第一InSb层上生长InAs超晶格，其中，As与In的五三束流比为7；

步骤S44、间隔一端时间后，在InAs超晶格上生长第二InSb层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，Ga源炉温度为955℃，In源炉温度为840℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，GaSb缓冲层为500nm的GaSb缓冲层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，对GaSb衬底除气包括：

将两英寸双面抛光的GaSb衬底放入进样室，在进样室中除气约六个小时，并待真空度小于1×10^-8Torr时，将在进样室已经预除气GaSb衬底放入缓冲室中，升温至300℃，保持1到2小时，当真空度小于6×10^-9Torr时，缓冲室中除气结束。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，对GaSb衬底进行脱氧处理包括：

将在缓冲室除气后的GaSb衬底送入生长腔中，GaSb衬底温度升到300℃，并使GaSb衬底以3转/分钟的速度旋转；

打开Sb源炉针阀，在Sb氛围的保护下，将GaSb衬底温度升到520℃脱氧十分钟，完成脱氧过程。