[发明专利]一种掺杂非晶硅层、制备方法、制备装置和太阳能电池在审
| 申请号： | 202211298854.3 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN115376893A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 毛文龙;林佳继;刘群;张武 | 申请（专利权）人： | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0216;C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518122 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂非晶硅层、制备方法、制备装置和太阳能电池，所述制备方法包括：将硅片装至沉积腔进行预处理，通入掺杂源、硅源和氢气进行第一次沉积，提高掺杂源进料量后进行第二次沉积，制备得到所述的掺杂非晶硅层。本发明采用两次沉积，并且第二次沉积采用大气量进气，有效保证掺杂源气体分散均匀，实现大批量制备掺杂非晶硅层，解决硅片在炉口、炉尾区域镀非晶硅层不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 非晶硅层 制备 方法 装置 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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